合计近30亿！4个功率半导体项目签约/通线/流片

受到新能源汽车、光伏等市场的拉动，功率半导体需求上涨，多个功率半导体项目近日传来最新进展：

乂易半导体：总投资11亿元的无锡乂易车规级功率器件制造项目近日签约徐州，规划生产IGBT、SiC等产品约36万片；芯未半导体：投资10亿IGBT项目一期正式通线，预计形成6万片IGBT晶片、120万只模块产能；顺为科技：总投资7.5亿IGBT/SiC功率半导体模块项目签约株洲，规划400万个IGBT模块和100万个SiC模块产能，年底启动建设；贝茵凯：1200V、1700V、1000V三款大功率IGBT芯片流片，良率接近100%。

乂易半导体：11亿功率器件项目签约

10月14日，据“徐州高新发布”公众号消息，徐州高新区最近新签约5个项目，涵盖新能源、半导体、生物医药等领域，总投资额101.3亿元。

其中，新签约无锡乂易车规级功率器件制造项目。项目总投资约11亿元，年产平面栅高压VDMOS、宽沟槽大功率MOS、超结MOS、平面栅NPTIGBT、宽沟槽栅NPTIGBT、宽沟槽栅FSIGBT、宽沟槽栅CSTBT、SiCSBD、GaN、SiCMOS等共计约36万片。项目完全达产后，预计年销售收入约11.5亿元。

官网信息显示，乂易半导体科技（无锡）有限公司，以半导体功率器件研发、制造为核心业务，拥有完善的芯片设计、研发、制造相关专有技术，包括功率器件、PMIC、CMOS、驱动芯片、CIS、MEMS等各类半导体技术。目前，乂易半导体拥有相关技术专利48项，其中41项为“车规级功率器件晶圆代工项目”，并且已经和多家设计及封装企业签订了战略合作协议代工6万片晶圆，具备了规划、建设、研发、制造的整个技术链上的全面经验。

芯未半导体：10亿IGBT项目一期通线

10月13日，成都高投芯未半导体有限公司一期通线仪式顺利举行，标志着芯未一期项目全面通线投产。

据悉，该项目总投资约10亿元，建成投产后将为功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组建产品等，实现年营收9亿元。该项目于2022年8月初正式开工，计划分两期建设。

据此前报道，芯未半导体项目位于成都高新西区，是成都首个功率半导体代工平台，也是成都规模最大的功率半导体中试平台，主要为功率半导体设计企业、制造企业、终端应用企业等提供从IGBT晶圆背面加工-模块封测-集成组件的一站式代工服务。本次通线投产后，将形成约6万片/年IGBT晶圆（折合8寸）、120万只/年功率模块生产能力。

顺为科技：7.5亿IGBT/SiC项目签约

10月7日，据“石峰发布”报道，湖南株洲石峰区近日举行顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约仪式。

据悉，顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目位于田心高科园，项目总投资7.5亿元，预计在今年年底启动建设，明年上半年正式投产，建成达产400万个IGBT模块及100万个SiC模块，预计年产值8亿元。

此外，今年以来顺为科技在全国多地布点，投入半导体项目。今年3月，顺为科技与海口德悦签订合作协议，顺为科技集团主导的半导体产业集群项目正式落户海口综保区。该项目总投资额超过32亿元，将在海口综保区投资芯片检测封装、半导体设备制造及光电显示产品制造、半导体硅材料12英寸硅晶棒及300mm硅片生产制造等，预计投产后5年内工业总产值将达到200亿元。

贝茵凯：3款大功率IGBT芯片流片，良率近100%

10月13日，据消息人士透露，北京贝茵凯微电子有限公司一次流片过程中就产出三款大功率系列产品，电压分别达到了1200V、1700V与1000V，其关键指标均达预期，良率几乎达到100%。

2022年5月，贝茵凯在北京成立的集成电路研发及总部基地作为先进功率器件的设计、开发、制造及相关产品正致力于积聚，核心产品为1.6微米Pitch的第7代硅基IGBT功率芯片和碳化硅MOSFET功率芯片。今年8月，贝茵凯独自开发出了“第7代大功率IGBT”，并在12英寸晶片上亮相。以200A电流规格而言，12英寸晶片能生产约400颗芯片，而8英寸晶片能生产约150颗芯片。